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库存索引21
» 型号"BSC152N10NSF G"的供应信息
BSC152N10NSF G 全国供应商、价格、PDF资料
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BSC152N10NSF G详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:63A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15.2 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 72µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 50V
功率_最大:114W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装:带卷 (TR)
BSC152N10NSF G供应商
BSC152N10NSF G
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
BSC152N10NSF G
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
BSC152N10NSF G
深圳市易信优科技有限公司
0755-23914006
BSC152N10NSF G
深圳和润天下电子科技有限公司
0755-83798683
BSC152N10NSF G
深圳市芯满林科技有限公司
18926544209/1
BSC152N10NSF G
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
BSC152N10NSF G
北京元坤国际科技有限公司
010-62104931、
BSC152N10NSF G
深圳市科格尔电子有限公司
0755-82798529
BSC152N10NSF G
北京首天伟业科技有限公司
010-62104931、
BSC152N10NSF G
北京显周科技有限公司
13910052844(微
BSC152N10NSF G
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多BSC152N10NSF G的供应商
B43504E2477M2
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
BFC241911603
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.016UF 400VDC RADIAL
B82422A3390K108
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 0.039UH 10%
C320C104K1R5TA7303
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL
BSC130P03LS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
B37933K5120J60
陶瓷 EPCOS Inc 0603(1608 公制) CAP CER 12PF 50V 5% C0H 0603
BFC241911803
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.018UF 400VDC RADIAL
B43504E2477M62
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
B82422A3471K100
固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR .47UH 150MA 1210 10%
B37933K5820J60
陶瓷 EPCOS Inc 0603(1608 公制) CAP CER 82PF 50V 5% C0H 0603
B43504E2477M7
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
BFC241912002
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 2000PF 400VDC RADIAL
B82422A3471K100
固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR .47UH 150MA 1210 10%
C320C104K5R5TA7301
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.1UF 50V 10% RADIAL
BSC160N10NS3 G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8
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